BUK9606-75B,118 NEXPERIA
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4800+ | 113.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9606-75B,118 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11693 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9606-75B,118 за ціною від 97.26 грн до 239.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9606-75B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11693 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9606-75B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11693 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9606-75B,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9606-75B/SOT404/D2PAK |
на замовлення 7872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9606-75B,118 Код товару: 190071 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
| BUK9606-75B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 612A; 300W Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 95nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Case: D2PAK; SOT404 Pulsed drain current: 612A Mounting: SMD Drain-source voltage: 75V Drain current: 75A On-state resistance: 12.8mΩ кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
BUK9606-75B,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 75V 153A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BUK9606-75B,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 75V 153A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| BUK9606-75B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 612A; 300W Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 95nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Case: D2PAK; SOT404 Pulsed drain current: 612A Mounting: SMD Drain-source voltage: 75V Drain current: 75A On-state resistance: 12.8mΩ |
товар відсутній |