Продукція > NEXPERIA > BUK9608-55B,118
BUK9608-55B,118

BUK9608-55B,118 Nexperia

4380526153352622buk9608-55b.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+126.44 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9608-55B,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 203W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BUK9608-55B,118 за ціною від 92.84 грн до 222.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Nexperia 4380526153352622buk9608-55b.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.94 грн
500+117.09 грн
1000+107.98 грн
10000+92.84 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Nexperia 4380526153352622buk9608-55b.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Nexperia 4380526153352622buk9608-55b.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.27 грн
10+154.29 грн
25+152.72 грн
100+117.63 грн
250+107.83 грн
500+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Nexperia 4380526153352622buk9608-55b.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.27 грн
92+154.29 грн
93+152.72 грн
117+117.63 грн
250+107.83 грн
500+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Nexperia USA Inc. BUK9608-55B.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.12 грн
10+138.65 грн
100+95.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Nexperia BUK9608-55B.pdf MOSFETs BUK9608-55B/SOT404/D2PAK
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 NEXPERIA BUK9608-55B.pdf Description: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 NEXPERIA BUK9608-55B.pdf Description: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 4380526153352622buk9608-55b.pdf
BUK9608-55B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+129.94 грн
500+117.09 грн
1000+107.98 грн
10000+92.84 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 4380526153352622buk9608-55b.pdf
BUK9608-55B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 4380526153352622buk9608-55b.pdf
BUK9608-55B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+173.27 грн
10+154.29 грн
25+152.72 грн
100+117.63 грн
250+107.83 грн
500+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 4380526153352622buk9608-55b.pdf
BUK9608-55B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+173.27 грн
92+154.29 грн
93+152.72 грн
117+117.63 грн
250+107.83 грн
500+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B.pdf
BUK9608-55B,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.12 грн
10+138.65 грн
100+95.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B.pdf
BUK9608-55B,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9608-55B/SOT404/D2PAK
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B.pdf
BUK9608-55B,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B.pdf
BUK9608-55B,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.