Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9611-80E,118
BUK9611-80E,118

BUK9611-80E,118 Nexperia USA Inc.

BUK9611-80E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+74.06 грн
1600+66.22 грн
2400+63.62 грн
4000+56.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9611-80E,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9611-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 8300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 182W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm.

Інші пропозиції BUK9611-80E,118 за ціною від 69.74 грн до 236.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Nexperia USA Inc. BUK9611-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.90 грн
10+134.92 грн
100+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Nexperia 3006901939609840buk9611-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.16 грн
10+173.85 грн
100+130.29 грн
500+103.65 грн
800+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Nexperia BUK9611-80E.pdf MOSFETs BUK9611-80E/SOT404/D2PAK
на замовлення 5154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 NEXPERIA BUK9611-80E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9611-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 8300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 182W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E.pdf
BUK9611-80E,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.90 грн
10+134.92 грн
100+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9611-80E,118 3006901939609840buk9611-80e.pdf
BUK9611-80E,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+236.16 грн
10+173.85 грн
100+130.29 грн
500+103.65 грн
800+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E.pdf
BUK9611-80E,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9611-80E/SOT404/D2PAK
на замовлення 5154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E.pdf
BUK9611-80E,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9611-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 8300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 182W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.