Продукція > NEXPERIA > BUK9611-80E,118
BUK9611-80E,118

BUK9611-80E,118 Nexperia


3006901939609840buk9611-80e.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1600+69.34 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9611-80E,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9611-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0083 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BUK9611-80E,118 за ціною від 64.15 грн до 233.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Виробник : Nexperia 3006901939609840buk9611-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1600+74.87 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9611-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+80.58 грн
1600+72.11 грн
2400+69.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Виробник : Nexperia BUK9611_80E-2937715.pdf MOSFET BUK9611-80E/SOT404/D2PAK
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.66 грн
10+148.54 грн
100+102.75 грн
800+73.02 грн
2400+69.65 грн
4800+68.25 грн
9600+67.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Виробник : NEXPERIA BUK9611-80E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9611-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0083 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.59 грн
10+137.49 грн
100+98.80 грн
500+80.27 грн
1000+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9611-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.40 грн
10+146.02 грн
100+101.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Виробник : NEXPERIA 3006901939609840buk9611-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Виробник : Nexperia 3006901939609840buk9611-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9611-80E,118 Виробник : NEXPERIA BUK9611-80E.pdf BUK9611-80E.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.