BUK9611-80E,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 82.65 грн |
| 1600+ | 73.96 грн |
| 2400+ | 71.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9611-80E,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9611-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 8300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9611-80E,118 за ціною від 55.08 грн до 239.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9611-80E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9611-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 8300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 182W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9611-80E,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT404 N-CH 80V 75A |
на замовлення 5052 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9611-80E,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9611-80E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9611-80E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9611-80E,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK9611-80E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; Idm: 327A; 182W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 75A Pulsed drain current: 327A Power dissipation: 182W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±18V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BUK9611-80E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; Idm: 327A; 182W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 75A Pulsed drain current: 327A Power dissipation: 182W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±18V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |