BUK9612-55B,118

BUK9612-55B,118 Nexperia USA Inc.


BUK9612-55B.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3693 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+61.54 грн
1600+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9612-55B,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 157W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3693 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK9612-55B,118 за ціною від 54.30 грн до 178.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9612-55B,118 BUK9612-55B,118 Виробник : NEXPERIA 4374417684068161buk9612-55b.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 79A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9612-55B,118 BUK9612-55B,118 Виробник : Nexperia 4374417684068161buk9612-55b.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 79A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+72.99 грн
500+67.71 грн
800+63.41 грн
2400+59.54 грн
4800+54.30 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9612-55B,118 BUK9612-55B,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9612-55B.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3693 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.40 грн
10+106.47 грн
100+75.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9612-55B,118 BUK9612-55B,118 Виробник : Nexperia BUK9612-55B.pdf MOSFETs BUK9612-55B/SOT404/D2PAK
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.69 грн
10+120.33 грн
100+74.91 грн
800+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9612-55B,118 Виробник : NEXPERIA BUK9612-55B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; Idm: 322A; 157W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 322A
Power dissipation: 157W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9612-55B,118 Виробник : NEXPERIA BUK9612-55B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; Idm: 322A; 157W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 322A
Power dissipation: 157W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.