BUK9615-100E,118 Nexperia
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 266+ | 114.89 грн |
| 500+ | 103.71 грн |
| 1000+ | 95.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9615-100E,118 Nexperia
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 266A; 182W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 47A, Pulsed drain current: 266A, Power dissipation: 182W, Case: D2PAK; SOT404, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 41mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 60nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BUK9615-100E,118 за ціною від 95.38 грн до 114.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9615-100E,118 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| BUK9615-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 266A; 182W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 47A Pulsed drain current: 266A Power dissipation: 182W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
BUK9615-100E,118 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 66A D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
BUK9615-100E,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET N-CHANNEL TRENCH LOGIC LEVEL |
товару немає в наявності |
|||||||||
| BUK9615-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 266A; 182W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 47A Pulsed drain current: 266A Power dissipation: 182W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |