Продукція > NEXPERIA > BUK9615-100E,118

BUK9615-100E,118 NEXPERIA


PHGLS25536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 266A; 182W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 266A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 182W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9615-100E,118 NEXPERIA

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 266A; 182W, Mounting: SMD, Case: D2PAK; SOT404, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 266A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 47A, On-state resistance: 41mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Application: automotive industry, Power dissipation: 182W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 60nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BUK9615-100E,118

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK9615-100E,118 BUK9615-100E,118 Виробник : NXP USA Inc. PHGLS25536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 66A D2PAK
товар відсутній
BUK9615-100E,118 BUK9615-100E,118 Виробник : Nexperia BUK9615-100E-1599036.pdf MOSFET N-CHANNEL TRENCH LOGIC LEVEL
товар відсутній
BUK9615-100E,118 Виробник : NEXPERIA PHGLS25536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 266A; 182W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 266A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 182W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
товар відсутній