BUK961R6-40E,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 137.80 грн |
| 1600+ | 129.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK961R6-40E,118 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16400 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK961R6-40E,118 за ціною від 168.34 грн до 370.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK961R6-40E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BUK961R6-40E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
| BUK961R6-40E,118 | Виробник : NEXPERIA |
BUK961R6-40E.118 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
BUK961R6-40E,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET N-Chan 40V 120A |
товару немає в наявності |