Продукція > NEXPERIA > BUK9620-100B,118
BUK9620-100B,118

BUK9620-100B,118 Nexperia

4384642986272514buk9620-100b.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+125.78 грн
153+92.49 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9620-100B,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9620-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.58V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 203W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BUK9620-100B,118 за ціною від 93.26 грн до 126.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9620-100B,118 BUK9620-100B,118 Nexperia 4384642986272514buk9620-100b.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.12 грн
100+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9620-100B,118 BUK9620-100B,118 Nexperia BUK9620-100B.pdf MOSFETs BUK9620-100B/SOT404/D2PAK
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9620-100B,118 BUK9620-100B,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003105598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9620-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.58V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9620-100B,118 BUK9620-100B,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003105598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9620-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.58V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9620-100B,118 4384642986272514buk9620-100b.pdf
BUK9620-100B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+126.12 грн
100+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9620-100B,118 BUK9620-100B.pdf
BUK9620-100B,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9620-100B/SOT404/D2PAK
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9620-100B,118 NEXP-S-A0003105598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9620-100B,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9620-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.58V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9620-100B,118 NEXP-S-A0003105598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9620-100B,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9620-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.58V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.