Інші пропозиції BUK9624-55A,118 за ціною від 76.21 грн до 119.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK9624-55A,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9624-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0217 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BUK9624-55A,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 46A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 25 V |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BUK9624-55A,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9624-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0217 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
BUK9624-55A,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 46A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
BUK9624-55A,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
товару немає в наявності |



