BUK9624-55A,118

BUK9624-55A,118 Nexperia USA Inc.


BUK9624-55A.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 46A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 25 V
на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.01 грн
10+ 88.21 грн
100+ 70.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9624-55A,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9624-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).

Інші пропозиції BUK9624-55A,118 за ціною від 93.95 грн до 123.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK9624-55A,118 BUK9624-55A,118 Виробник : NEXPERIA BUK9624-55A.pdf Description: NEXPERIA - BUK9624-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+123.03 грн
10+ 93.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK9624-55A,118 BUK9624-55A,118 Виробник : NEXPERIA BUK9624-55A.pdf Description: NEXPERIA - BUK9624-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK9624-55A,118
Код товару: 179304
BUK9624-55A.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BUK9624-55A,118 BUK9624-55A,118 Виробник : NEXPERIA 4374704230626383buk9624-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 46A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK9624-55A,118 BUK9624-55A,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9624-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 46A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK9624-55A,118 BUK9624-55A,118 Виробник : Nexperia BUK9624-55A-1599119.pdf MOSFET TAPE13 PWR-MOS
товар відсутній