BUK962R5-60E,118 Nexperia USA Inc.


BUK962R5-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+124.33 грн
1600+112.19 грн
2400+108.90 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK962R5-60E,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc).

Інші пропозиції BUK962R5-60E,118 за ціною від 152.04 грн до 335.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK962R5-60E,118 BUK962R5-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK962R5-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.60 грн
10+213.92 грн
100+152.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R5-60E,118 BUK962R5-60E,118 Nexperia BUK962R5-60E.pdf MOSFETs SOT404 N-CH 60V 120A
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R5-60E,118 BUK962R5-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+335.60 грн
10+213.92 грн
100+152.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R5-60E,118 BUK962R5-60E.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT404 N-CH 60V 120A
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.