Продукція > NEXPERIA > BUK962R6-40E,118
BUK962R6-40E,118

BUK962R6-40E,118 Nexperia


1747484286450223buk962r6-40e.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+153.53 грн
500+138.28 грн
1000+128.11 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK962R6-40E,118 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.6 nC @ 32 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10285 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK962R6-40E,118 за ціною від 153.53 грн до 153.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK962R6-40E,118 Виробник : NXP Semiconductors BUK962R6-40E.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+153.53 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R6-40E,118 Виробник : NXP Semiconductors BUK962R6-40E.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+153.53 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R6-40E,118 BUK962R6-40E,118 Виробник : NEXPERIA 1747484286450223buk962r6-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R6-40E,118 Виробник : NEXPERIA BUK962R6-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 885A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 885A
Power dissipation: 263W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R6-40E,118 BUK962R6-40E,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK962R6-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.6 nC @ 32 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10285 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R6-40E,118 BUK962R6-40E,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK962R6-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.6 nC @ 32 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10285 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R6-40E,118 BUK962R6-40E,118 Виробник : Nexperia BUK962R6-40E-1599096.pdf MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R6-40E,118 Виробник : NEXPERIA BUK962R6-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 885A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 885A
Power dissipation: 263W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.