
BUK962R6-40E,118 Nexperia
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
199+ | 153.53 грн |
500+ | 138.28 грн |
1000+ | 128.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK962R6-40E,118 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.6 nC @ 32 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10285 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK962R6-40E,118 за ціною від 153.53 грн до 153.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUK962R6-40E,118 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
BUK962R6-40E,118 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
BUK962R6-40E,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
BUK962R6-40E,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 885A; 263W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 885A Power dissipation: 263W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
BUK962R6-40E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.6 nC @ 32 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10285 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
BUK962R6-40E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.6 nC @ 32 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10285 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
BUK962R6-40E,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
BUK962R6-40E,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 885A; 263W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 885A Power dissipation: 263W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |