BUK9637-100E,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2681 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 54.52 грн |
| 1600+ | 48.50 грн |
| 2400+ | 46.46 грн |
| 4000+ | 41.46 грн |
| 5600+ | 40.18 грн |
| 8000+ | 38.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9637-100E,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9637-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9637-100E,118 за ціною від 39.52 грн до 212.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK9637-100E,118 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 31A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2681 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 11502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9637-100E,118 | Nexperia |
MOSFETs BUK9637-100E/SOT404/D2PAK |
на замовлення 4739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9637-100E,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9637-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BUK9637-100E,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2681 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2681 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.75 грн |
| 10+ | 102.35 грн |
| 100+ | 69.63 грн |
| BUK9637-100E,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9637-100E/SOT404/D2PAK
MOSFETs BUK9637-100E/SOT404/D2PAK
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.89 грн |
| 10+ | 109.21 грн |
| 100+ | 64.24 грн |
| 500+ | 48.46 грн |
| 800+ | 43.50 грн |
| 2400+ | 40.71 грн |
| 4800+ | 39.52 грн |
| BUK9637-100E,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9637-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9637-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 212.62 грн |
| 10+ | 136.05 грн |
| 100+ | 92.06 грн |
| 500+ | 70.12 грн |
| 1000+ | 54.12 грн |
| 5000+ | 53.07 грн |




