BUK9640-100A,118 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9640-100A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 107.10 грн |
| 250+ | 96.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9640-100A,118 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9640-100A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9640-100A,118 за ціною від 58.70 грн до 353.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9640-100A,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9640-100A,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9640-100A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9640-100A,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BUK9640-100A/SOT404/D2PAK |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9640-100A,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 159A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 159A Power dissipation: 158W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9640-100A,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 159A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 159A Power dissipation: 158W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 663 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BUK9640-100A,118 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 61522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
BUK9640-100A,118 Код товару: 179942
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
BUK9640-100A,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9640-100A,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |