| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 204.57 грн |
| 10+ | 195.30 грн |
| 25+ | 169.13 грн |
| 100+ | 124.95 грн |
| 4800+ | 104.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK964R2-55B,118 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm.
Інші пропозиції BUK964R2-55B,118 за ціною від 223.67 грн до 480.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK964R2-55B,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm |
на замовлення 2045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK964R2-55B,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK964R2-55B,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK964R2-55B,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK964R2-55B,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm |
на замовлення 2045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BUK964R2-55B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 328.60 грн |
| 100+ | 272.22 грн |
| 500+ | 247.54 грн |
| 1000+ | 223.67 грн |
| BUK964R2-55B,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 95+ | 373.28 грн |
| 100+ | 354.38 грн |
| BUK964R2-55B,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 95+ | 373.28 грн |
| 100+ | 354.38 грн |
| 500+ | 335.48 грн |
| 1000+ | 306.41 грн |
| BUK964R2-55B,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 95+ | 373.28 грн |
| 100+ | 354.38 грн |
| 500+ | 335.48 грн |
| 1000+ | 306.41 грн |
| BUK964R2-55B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 480.82 грн |
| 10+ | 328.60 грн |
| 100+ | 272.22 грн |
| 500+ | 247.54 грн |
| 1000+ | 223.67 грн |





