Продукція > NEXPERIA > BUK964R2-55B,118

BUK964R2-55B,118 Nexperia


BUK964R2-55B.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK964R2-55B/SOT404/D2PAK
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+204.57 грн
10+195.30 грн
25+169.13 грн
100+124.95 грн
4800+104.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK964R2-55B,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm.

Інші пропозиції BUK964R2-55B,118 за ціною від 223.67 грн до 480.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK964R2-55B,118 BUK964R2-55B,118 NEXPERIA 2341440.pdf Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+328.60 грн
100+272.22 грн
500+247.54 грн
1000+223.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118 BUK964R2-55B,118 Nexperia 4380818198810643buk964r2-55b.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+373.28 грн
100+354.38 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118 BUK964R2-55B,118 Nexperia 4380818198810643buk964r2-55b.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+373.28 грн
100+354.38 грн
500+335.48 грн
1000+306.41 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118 BUK964R2-55B,118 Nexperia 4380818198810643buk964r2-55b.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+373.28 грн
100+354.38 грн
500+335.48 грн
1000+306.41 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118 BUK964R2-55B,118 NEXPERIA 2341440.pdf Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.82 грн
10+328.60 грн
100+272.22 грн
500+247.54 грн
1000+223.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118 2341440.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+328.60 грн
100+272.22 грн
500+247.54 грн
1000+223.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118 4380818198810643buk964r2-55b.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
95+373.28 грн
100+354.38 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118 4380818198810643buk964r2-55b.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
95+373.28 грн
100+354.38 грн
500+335.48 грн
1000+306.41 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118 4380818198810643buk964r2-55b.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
95+373.28 грн
100+354.38 грн
500+335.48 грн
1000+306.41 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-55B,118 2341440.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+480.82 грн
10+328.60 грн
100+272.22 грн
500+247.54 грн
1000+223.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.