Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK964R2-80E,118
BUK964R2-80E,118

BUK964R2-80E,118 Nexperia USA Inc.

BUK964R2-80E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17130 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+125.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK964R2-80E,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 349W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17130 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK964R2-80E,118 за ціною від 124.03 грн до 292.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK964R2-80E,118 BUK964R2-80E,118 Виробник : Nexperia BUK964R2_80E-2937853.pdf MOSFET BUK964R2-80E/SOT404/D2PAK
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.56 грн
10+233.79 грн
25+191.55 грн
100+164.40 грн
250+155.59 грн
500+146.05 грн
800+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-80E,118 BUK964R2-80E,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK964R2-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17130 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.95 грн
10+195.48 грн
100+143.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R2-80E,118 Виробник : NEXPERIA BUK964R2-80E.pdf BUK964R2-80E.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.