BUK9675-55A,118

BUK9675-55A,118 Nexperia USA Inc.


BUK9675-55A.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+46.53 грн
1600+ 36.5 грн
2400+ 34.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9675-55A,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9675-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm.

Інші пропозиції BUK9675-55A,118 за ціною від 27.35 грн до 93.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK9675-55A,118 BUK9675-55A,118 Виробник : NEXPERIA PHGLS22324-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9675-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+51.6 грн
500+ 33.03 грн
1000+ 27.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK9675-55A,118 BUK9675-55A,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9675-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.94 грн
10+ 67.94 грн
100+ 52.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
BUK9675-55A,118 BUK9675-55A,118 Виробник : NEXPERIA PHGLS22324-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9675-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+91.37 грн
11+ 70.1 грн
100+ 51.6 грн
500+ 33.03 грн
1000+ 27.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK9675-55A,118 BUK9675-55A,118 Виробник : Nexperia BUK9675_55A-2937855.pdf MOSFET BUK9675-55A/SOT404/D2PAK
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.47 грн
10+ 75.7 грн
100+ 51.07 грн
500+ 50.27 грн
800+ 35.25 грн
2400+ 33.25 грн
4800+ 31.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
BUK9675-55A,118 BUK9675-55A,118 Виробник : Nexperia 4376083976682008buk9675-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK9675-55A,118 BUK9675-55A,118 Виробник : Nexperia 4376083976682008buk9675-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK9675-55A,118 BUK9675-55A,118 Виробник : Nexperia 4376083976682008buk9675-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK9675-55A,118 BUK9675-55A,118 Виробник : NEXPERIA 4376083976682008buk9675-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK9675-55A,118 BUK9675-55A,118 Виробник : Nexperia 4376083976682008buk9675-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK9675-55A,118 Виробник : NEXPERIA BUK9675-55A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 14A; Idm: 81A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 62W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK9675-55A,118 Виробник : NEXPERIA BUK9675-55A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 14A; Idm: 81A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 62W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній