BUK9675-55A,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 43.86 грн |
| 1600+ | 38.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9675-55A,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9675-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK9675-55A,118 за ціною від 44.29 грн до 146.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK9675-55A,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK9675-55A,118 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 20A D2PAKPart Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V |
на замовлення 6814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK9675-55A,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 26060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK9675-55A,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 282369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK9675-55A,118 | Nexperia |
MOSFETs BUK9675-55A/SOT404/D2PAK |
на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BUK9675-55A,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9675-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BUK9675-55A,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BUK9675-55A,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9675-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm |
на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK9675-55A,118 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BUK9675-55A,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 120+ | 118.35 грн |
| 164+ | 86.50 грн |
| 280+ | 50.64 грн |
| 500+ | 44.29 грн |
| BUK9675-55A,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Description: MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 138.24 грн |
| 10+ | 84.58 грн |
| 50+ | 63.61 грн |
| 100+ | 53.32 грн |
| BUK9675-55A,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 26060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 146.48 грн |
| 500+ | 132.30 грн |
| 1000+ | 121.67 грн |
| 10000+ | 104.52 грн |
| BUK9675-55A,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 282369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 146.48 грн |
| 500+ | 132.30 грн |
| 1000+ | 121.67 грн |
| 10000+ | 104.52 грн |
| 100000+ | 81.08 грн |
| BUK9675-55A,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9675-55A/SOT404/D2PAK
MOSFETs BUK9675-55A/SOT404/D2PAK
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK9675-55A,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9675-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9675-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK9675-55A,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK9675-55A,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9675-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
Description: NEXPERIA - BUK9675-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK9675-55A,118 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 146.48 грн |
| 500+ | 132.30 грн |
| 1000+ | 121.67 грн |





