BUK969R0-60E,118

BUK969R0-60E,118 Nexperia USA Inc.


BUK969R0-60E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+69.45 грн
1600+ 56.74 грн
2400+ 53.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK969R0-60E,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 137W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK969R0-60E,118 за ціною від 50.08 грн до 135.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK969R0-60E,118 BUK969R0-60E,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK969R0-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.62 грн
10+ 99.27 грн
100+ 79.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
BUK969R0-60E,118 BUK969R0-60E,118 Виробник : Nexperia BUK969R0_60E-2937720.pdf MOSFET BUK969R0-60E/SOT404/D2PAK
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.18 грн
10+ 110.28 грн
100+ 76.58 грн
500+ 74.58 грн
800+ 54.61 грн
2400+ 52.08 грн
4800+ 50.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
BUK969R0-60E,118 Виробник : NEXPERIA BUK969R0-60E.pdf BUK969R0-60E.118 SMD N channel transistors
товар відсутній