Продукція > NEXPERIA > BUK969R3-100E,118
BUK969R3-100E,118

BUK969R3-100E,118 Nexperia


2039225695931190buk969r3-100e.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+149.16 грн
500+134.86 грн
1000+123.62 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK969R3-100E,118 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.3 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11650 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BUK969R3-100E,118 за ціною від 123.62 грн до 149.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK969R3-100E,118 BUK969R3-100E,118 Виробник : Nexperia 2039225695931190buk969r3-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+149.16 грн
500+134.86 грн
1000+123.62 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R3-100E,118 BUK969R3-100E,118 Виробник : NEXPERIA 2039225695931190buk969r3-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R3-100E,118 Виробник : NEXPERIA BUK969R3-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; Idm: 405A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 405A
Power dissipation: 263W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 25.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R3-100E,118 BUK969R3-100E,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK969R3-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R3-100E,118 BUK969R3-100E,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK969R3-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R3-100E,118 BUK969R3-100E,118 Виробник : Nexperia BUK969R3-100E.pdf MOSFETs SOT404 100V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R3-100E,118 Виробник : NEXPERIA BUK969R3-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; Idm: 405A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 405A
Power dissipation: 263W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 25.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.