BUK9C1R3-40EJ NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 190A D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 90A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9C1R3-40EJ NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 190A D2PAK-7, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D2PAK-7, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 90A, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BUK9C1R3-40EJ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK9C1R3-40EJ | Nexperia |
 MOSFET BUK9C1R3-40E/D2PAK/REEL13 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BUK9C1R3-40EJ |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET BUK9C1R3-40E/D2PAK/REEL13
MOSFET BUK9C1R3-40E/D2PAK/REEL13
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.