BUK9E08-55B,127 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9E08-55B,127 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 203W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9E08-55B,127
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK9E08-55B,127 | NXP |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
BUK9E08-55B,127 | Nexperia |
MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3Pin(3+Tab) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BUK9E08-55B,127 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9E08-55B,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0062 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 110 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 203 Bauform - Transistor: TO-262 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK9E08-55B,127 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3Pin(3+Tab)
MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3Pin(3+Tab)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUK9E08-55B,127 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9E08-55B,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0062 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 110
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 203
Bauform - Transistor: TO-262
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: NEXPERIA - BUK9E08-55B,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0062 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 110
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 203
Bauform - Transistor: TO-262
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.