Продукція > NXP USA INC. > BUK9E1R9-40E,127
BUK9E1R9-40E,127

BUK9E1R9-40E,127 NXP USA Inc.



Виробник: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V I2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 4974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9E1R9-40E,127 NXP USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V I2PAK, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: I2PAK, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції BUK9E1R9-40E,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9E1R9-40E,127 BUK9E1R9-40E,127 NXP USA Inc. Description: MOSFET N-CH 40V I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E1R9-40E,127 BUK9E1R9-40E,127 Nexperia BUK9E1R9-40E-1599203.pdf MOSFET BUK9E1R9-40E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E1R9-40E,127
BUK9E1R9-40E,127
Виробник: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E1R9-40E,127 BUK9E1R9-40E-1599203.pdf
BUK9E1R9-40E,127
Виробник: Nexperia
MOSFET BUK9E1R9-40E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.