BUK9E6R1-100E,127 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17.46 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 182+ | 115.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9E6R1-100E,127 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 349W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17.46 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9E6R1-100E,127
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9E6R1-100E,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
товару немає в наявності |
|
 |
BUK9E6R1-100E,127 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK9E6R1-100E/I2PAK/STANDARD M |
товару немає в наявності |