BUK9K12-80LX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BUK9K12-80L/SOT1205/LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4441pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 140µA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 156.26 грн |
| 10+ | 96.51 грн |
| 100+ | 65.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K12-80LX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 51A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції BUK9K12-80LX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9K12-80LX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 51A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BUK9K12-80LX | Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
BUK9K12-80LX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK9K12-80LX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 51A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 51A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK9K12-80LX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK9K12-80LX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)