Продукція > NEXPERIA > BUK9K12-80LX
BUK9K12-80LX

BUK9K12-80LX NEXPERIA

BUK9K12-80L.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+112.42 грн
500+88.51 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K12-80LX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 51A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції BUK9K12-80LX за ціною від 60.68 грн до 280.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK9K12-80LX BUK9K12-80LX Nexperia USA Inc. BUK9K12-80L.pdf Description: BUK9K12-80L/SOT1205/LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4441pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 140µA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.47 грн
10+98.49 грн
100+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K12-80LX BUK9K12-80LX Nexperia BUK9K12-80L.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.37 грн
10+118.04 грн
100+71.22 грн
500+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K12-80LX BUK9K12-80LX NEXPERIA BUK9K12-80L.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 51A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.24 грн
10+181.67 грн
100+112.42 грн
500+88.51 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K12-80LX BUK9K12-80L.pdf
BUK9K12-80LX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BUK9K12-80L/SOT1205/LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4441pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 140µA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+159.47 грн
10+98.49 грн
100+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K12-80LX BUK9K12-80L.pdf
BUK9K12-80LX
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+187.37 грн
10+118.04 грн
100+71.22 грн
500+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K12-80LX BUK9K12-80L.pdf
BUK9K12-80LX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 51A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+280.24 грн
10+181.67 грн
100+112.42 грн
500+88.51 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.