BUK9K13-40HX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 37.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K13-40HX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9K13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0114 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0114ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 46W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0114ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 46W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BUK9K13-40HX за ціною від 23.49 грн до 88.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9K13-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0114 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0114ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0114ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9K13-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 42A |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9K13-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0114 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0114ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0114ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9K13-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BUK9K13-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Dual N-channel 40 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
BUK9K13-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK9K13-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A; 46W Kind of channel: enhancement Case: LFPAK33; SOT1210 Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 19.4nC On-state resistance: 32.8mΩ Drain current: 30A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 46W Pulsed drain current: 169A Application: automotive industry Drain-source voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BUK9K13-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A; 46W Kind of channel: enhancement Case: LFPAK33; SOT1210 Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 19.4nC On-state resistance: 32.8mΩ Drain current: 30A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 46W Pulsed drain current: 169A Application: automotive industry Drain-source voltage: 40V |
товару немає в наявності |