BUK9K13-60EX Nexperia
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 49.06 грн |
| 3000+ | 48.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K13-60EX Nexperia
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 64W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56D, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції BUK9K13-60EX за ціною від 34.78 грн до 174.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9K13-60EX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
на замовлення 64500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9K13-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9K13-60EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A |
на замовлення 1292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9K13-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 1312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9K13-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK9K13-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BUK9K13-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 33A; Idm: 190A; 64W Kind of channel: enhancement Case: LFPAK33; SOT1210 Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 22.4nC On-state resistance: 28.3mΩ Drain current: 33A Gate-source voltage: ±10V Power dissipation: 64W Pulsed drain current: 190A Application: automotive industry Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
BUK9K13-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BUK9K13-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 33A; Idm: 190A; 64W Kind of channel: enhancement Case: LFPAK33; SOT1210 Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 22.4nC On-state resistance: 28.3mΩ Drain current: 33A Gate-source voltage: ±10V Power dissipation: 64W Pulsed drain current: 190A Application: automotive industry Drain-source voltage: 60V |
товару немає в наявності |