BUK9K18-40E,115 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K18-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0135 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 81.76 грн |
| 14+ | 59.66 грн |
| 100+ | 40.88 грн |
| 500+ | 34.65 грн |
| 1000+ | 30.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K18-40E,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K18-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0135 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9K18-40E,115 за ціною від 26.09 грн до 111.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9K18-40E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1061pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9K18-40E,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 11781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9K18-40E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK9K18-40E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1061pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BUK9K18-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 24A; Idm: 124A; 38W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 24A Pulsed drain current: 124A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 39.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |