BUK9K20-80EX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K20-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 105.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K20-80EX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K20-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9K20-80EX за ціною від 47.53 грн до 243.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9K20-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK9K20-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK9K20-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK9K20-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK9K20-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K20-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK9K20-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BUK9K20-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| BUK9K20-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 16A; Idm: 92A; 68W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 16A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 68W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 49mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |