BUK9K22-80EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.97 грн |
| 10+ | 87.53 грн |
| 100+ | 66.78 грн |
| 500+ | 54.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K22-80EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9K22-80EX за ціною від 38.18 грн до 229.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9K22-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1205 2NCH 80V 21A |
на замовлення 4634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9K22-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9K22-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9K22-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 21A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BUK9K22-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 21A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK9K22-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |