BUK9K22-80EX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0157ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 73.60 грн |
| 500+ | 64.37 грн |
| 1000+ | 55.75 грн |
| 5000+ | 52.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K22-80EX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.0157 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0157ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK9K22-80EX за ціною від 40.44 грн до 151.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9K22-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9K22-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BUK9K22-80E/SOT1205/LFPAK56D |
на замовлення 5393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9K22-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.0157 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0157ohm Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 5840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9K22-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 21A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BUK9K22-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 21A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK9K22-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 80V Drain current: 15A On-state resistance: 54.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Application: automotive industry Power dissipation: 64W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 84A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BUK9K22-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK9K22-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 80V Drain current: 15A On-state resistance: 54.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Application: automotive industry Power dissipation: 64W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 84A |
товару немає в наявності |