Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9K22-80EX
BUK9K22-80EX

BUK9K22-80EX Nexperia USA Inc.

BUK9K22-80E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 64W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.28 грн
10+81.14 грн
100+61.91 грн
500+50.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K22-80EX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції BUK9K22-80EX за ціною від 43.84 грн до 291.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK9K22-80EX BUK9K22-80EX NEXPERIA 2553000.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.98 грн
500+89.74 грн
1000+76.63 грн
5000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K22-80EX BUK9K22-80EX Nexperia BUK9K22-80E.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.16 грн
10+109.56 грн
100+65.31 грн
500+51.98 грн
1000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K22-80EX BUK9K22-80EX NEXPERIA 2553000.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.55 грн
10+188.46 грн
100+115.98 грн
500+89.74 грн
1000+76.63 грн
5000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K22-80EX 2553000.pdf
BUK9K22-80EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+115.98 грн
500+89.74 грн
1000+76.63 грн
5000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K22-80EX BUK9K22-80E.pdf
BUK9K22-80EX
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+173.16 грн
10+109.56 грн
100+65.31 грн
500+51.98 грн
1000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K22-80EX 2553000.pdf
BUK9K22-80EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+291.55 грн
10+188.46 грн
100+115.98 грн
500+89.74 грн
1000+76.63 грн
5000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.