Продукція > NEXPERIA > BUK9K22-80EX
BUK9K22-80EX

BUK9K22-80EX NEXPERIA

2553000.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0157ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.18 грн
500+59.84 грн
1000+51.90 грн
5000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K22-80EX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.0157 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0157ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK9K22-80EX за ціною від 37.22 грн до 131.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9K22-80EX BUK9K22-80EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9K22-80E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.96 грн
10+85.32 грн
100+65.09 грн
500+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K22-80EX BUK9K22-80EX Виробник : Nexperia BUK9K22-80E.pdf MOSFETs SOT1205 2NCH 80V 21A
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.42 грн
10+85.08 грн
100+59.26 грн
500+51.48 грн
1000+39.18 грн
9000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K22-80EX BUK9K22-80EX Виробник : NEXPERIA 2553000.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0157ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.26 грн
10+92.31 грн
100+74.18 грн
500+59.84 грн
1000+51.90 грн
5000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K22-80EX BUK9K22-80EX Виробник : NEXPERIA buk9k22-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 21A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K22-80EX BUK9K22-80EX Виробник : Nexperia buk9k22-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 21A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K22-80EX BUK9K22-80EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9K22-80E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K22-80EX Виробник : NEXPERIA BUK9K22-80E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK33; SOT1210
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 54.5mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Drain current: 15A
Power dissipation: 64W
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 84A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.