Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9K25-40EX
BUK9K25-40EX

BUK9K25-40EX Nexperia USA Inc.

BUK9K25-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 32W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K25-40EX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9K25-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 32W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK9K25-40EX за ціною від 19.68 грн до 69.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9K25-40EX BUK9K25-40EX Nexperia 3006645130200931buk9k25-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+52.81 грн
1000+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40EX BUK9K25-40EX Nexperia 3006645130200931buk9k25-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+52.81 грн
1000+48.69 грн
10000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40EX BUK9K25-40EX Nexperia USA Inc. BUK9K25-40E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.28 грн
10+41.80 грн
100+27.23 грн
500+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40EX BUK9K25-40EX Nexperia BUK9K25-40E.pdf MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 18.2A
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40EX BUK9K25-40EX NEXPERIA 2341443.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K25-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40EX BUK9K25-40EX NEXPERIA 2341443.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K25-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40EX 3006645130200931buk9k25-40e.pdf
BUK9K25-40EX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
666+52.81 грн
1000+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40EX 3006645130200931buk9k25-40e.pdf
BUK9K25-40EX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
666+52.81 грн
1000+48.69 грн
10000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40EX BUK9K25-40E.pdf
BUK9K25-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.28 грн
10+41.80 грн
100+27.23 грн
500+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40EX BUK9K25-40E.pdf
BUK9K25-40EX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 18.2A
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40EX 2341443.pdf
BUK9K25-40EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K25-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40EX 2341443.pdf
BUK9K25-40EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K25-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.