Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9K25-40RAX
BUK9K25-40RAX

BUK9K25-40RAX Nexperia USA Inc.

BUK9K25-40RA.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K25-40RAX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 32W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції BUK9K25-40RAX за ціною від 27.69 грн до 122.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Nexperia buk9k25-40ra.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
372+38.19 грн
375+37.80 грн
379+37.42 грн
383+35.73 грн
387+32.75 грн
500+30.97 грн
1000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Nexperia buk9k25-40ra.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.77 грн
20+38.19 грн
25+37.80 грн
50+36.09 грн
100+33.08 грн
250+31.44 грн
500+30.97 грн
1000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Nexperia USA Inc. BUK9K25-40RA.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.87 грн
10+75.28 грн
50+56.50 грн
100+47.33 грн
500+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Nexperia BUK9K25-40RA.pdf MOSFETs BUK9K25-40RA/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX NEXPERIA 3175794.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX NEXPERIA 3175794.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX buk9k25-40ra.pdf
BUK9K25-40RAX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
372+38.19 грн
375+37.80 грн
379+37.42 грн
383+35.73 грн
387+32.75 грн
500+30.97 грн
1000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX buk9k25-40ra.pdf
BUK9K25-40RAX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+44.77 грн
20+38.19 грн
25+37.80 грн
50+36.09 грн
100+33.08 грн
250+31.44 грн
500+30.97 грн
1000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RA.pdf
BUK9K25-40RAX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.87 грн
10+75.28 грн
50+56.50 грн
100+47.33 грн
500+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RA.pdf
BUK9K25-40RAX
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9K25-40RA/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX 3175794.pdf
BUK9K25-40RAX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX 3175794.pdf
BUK9K25-40RAX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.