Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9K25-40RAX
BUK9K25-40RAX

BUK9K25-40RAX Nexperia USA Inc.

BUK9K25-40RA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K25-40RAX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 32W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BUK9K25-40RAX за ціною від 22.07 грн до 130.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : Nexperia buk9k25-40ra.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
372+32.79 грн
375+32.46 грн
379+32.13 грн
383+30.68 грн
387+28.13 грн
500+26.60 грн
1000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 372
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : Nexperia buk9k25-40ra.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+35.70 грн
20+30.45 грн
25+30.14 грн
50+28.77 грн
100+26.38 грн
250+25.07 грн
500+24.70 грн
1000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : NEXPERIA BUK9K25-40RA.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.37 грн
500+36.39 грн
1000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : NEXPERIA 3175794.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.93 грн
13+66.11 грн
100+51.37 грн
500+36.39 грн
1000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : Nexperia BUK9K25-40RA.pdf MOSFETs BUK9K25-40RA/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.82 грн
10+67.44 грн
100+45.06 грн
500+36.40 грн
1000+34.42 грн
1500+29.58 грн
3000+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9K25-40RA.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.20 грн
10+79.66 грн
100+53.35 грн
500+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.