Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9K25-40RAX
BUK9K25-40RAX

BUK9K25-40RAX Nexperia USA Inc.

BUK9K25-40RA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K25-40RAX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 32W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK9K25-40RAX за ціною від 24.17 грн до 133.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : Nexperia buk9k25-40ra.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
372+33.34 грн
375+33.01 грн
379+32.68 грн
383+31.20 грн
387+28.60 грн
500+27.05 грн
1000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 372
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : NEXPERIA 3175794.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.51 грн
500+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : Nexperia buk9k25-40ra.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+41.89 грн
20+35.73 грн
25+35.36 грн
50+33.76 грн
100+30.95 грн
250+29.42 грн
500+28.98 грн
1000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : NEXPERIA 3175794.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.17 грн
23+37.68 грн
100+37.51 грн
500+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : Nexperia BUK9K25-40RA.pdf MOSFETs BUK9K25-40RA/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.22 грн
10+69.36 грн
100+46.35 грн
500+37.44 грн
1000+35.40 грн
1500+30.42 грн
3000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9K25-40RA.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.92 грн
10+81.94 грн
100+54.88 грн
500+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.