BUK9K25-40RAX

BUK9K25-40RAX Nexperia USA Inc.


BUK9K25-40RA.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K25-40RAX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 32W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK9K25-40RAX за ціною від 25.27 грн до 144.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : Nexperia buk9k25-40ra.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
372+34.85 грн
375+34.50 грн
379+34.15 грн
383+32.61 грн
387+29.89 грн
500+28.27 грн
1000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 372
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : Nexperia buk9k25-40ra.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+43.78 грн
20+37.34 грн
25+36.96 грн
50+35.28 грн
100+32.35 грн
250+30.75 грн
500+30.29 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : NEXPERIA BUK9K25-40RA.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.21 грн
500+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : Nexperia BUK9K25-40RA.pdf MOSFETs BUK9K25-40RA/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.82 грн
10+64.21 грн
100+42.91 грн
500+34.66 грн
1000+32.77 грн
1500+28.16 грн
3000+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9K25-40RA.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.93 грн
10+78.89 грн
100+52.84 грн
500+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Виробник : NEXPERIA BUK9K25-40RA.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.31 грн
10+88.05 грн
100+58.21 грн
500+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.