Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9K29-100E,115
BUK9K29-100E,115

BUK9K29-100E,115 Nexperia USA Inc.

BUK9K29-100E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3491pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+56.03 грн
3000+50.48 грн
4500+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K29-100E,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9K29-100E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0227ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0227ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BUK9K29-100E,115 за ціною від 51.30 грн до 161.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E,115 Виробник : Nexperia 3006799376816794buk9k29-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+56.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E,115 Виробник : Nexperia 3006799376816794buk9k29-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+60.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9K29-100E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0227ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0227ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.28 грн
500+68.42 грн
1000+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E,115 Виробник : Nexperia 3006799376816794buk9k29-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+90.50 грн
150+81.17 грн
500+66.64 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9K29-100E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0227ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0227ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.13 грн
10+110.32 грн
100+79.28 грн
500+68.42 грн
1000+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E,115 Виробник : Nexperia BUK9K29_100E-2938209.pdf MOSFETs BUK9K29-100E/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.40 грн
10+112.25 грн
100+70.31 грн
500+57.24 грн
1500+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9K29-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3491pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.16 грн
10+110.39 грн
100+76.49 грн
500+57.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E,115 Виробник : NEXPERIA 3006799376816794buk9k29-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E,115 Виробник : Nexperia 3006799376816794buk9k29-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E,115 Виробник : Nexperia 3006799376816794buk9k29-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 Виробник : NEXPERIA BUK9K29-100E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 21A; Idm: 118A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 118A
Power dissipation: 68W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 Виробник : NEXPERIA BUK9K29-100E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 21A; Idm: 118A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 118A
Power dissipation: 68W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.