Продукція > NEXPERIA > BUK9K29-100E,115
BUK9K29-100E,115

BUK9K29-100E,115 NEXPERIA

NEXP-S-A0003060194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K29-100E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0227ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0227ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+87.79 грн
500+64.30 грн
1000+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K29-100E,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9K29-100E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0227ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0227ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції BUK9K29-100E,115 за ціною від 39.10 грн до 211.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E,115 Nexperia BUK9K29-100E.pdf MOSFETs BUK9K29-100E/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.71 грн
10+97.05 грн
100+55.49 грн
500+43.95 грн
1000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003060194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9K29-100E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0227ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0227ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.68 грн
10+132.92 грн
100+87.79 грн
500+64.30 грн
1000+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E.pdf
BUK9K29-100E,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9K29-100E/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+156.71 грн
10+97.05 грн
100+55.49 грн
500+43.95 грн
1000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 NEXP-S-A0003060194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9K29-100E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K29-100E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0227ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0227ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+211.68 грн
10+132.92 грн
100+87.79 грн
500+64.30 грн
1000+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.