на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.15 грн |
| 10+ | 87.68 грн |
| 100+ | 55.86 грн |
| 1500+ | 45.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K30-80EX Nexperia
Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 53W, Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56D, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9K30-80EX за ціною від 72.95 грн до 186.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9K30-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56DPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BUK9K30-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |