
BUK9K31-100LX Nexperia
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.97 грн |
10+ | 66.24 грн |
100+ | 43.68 грн |
500+ | 37.06 грн |
1000+ | 30.14 грн |
1500+ | 28.35 грн |
3000+ | 27.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K31-100LX Nexperia
Description: BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 43W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.7mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA, Supplier Device Package: LFPAK56D, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9K31-100LX за ціною від 44.07 грн до 108.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK9K31-100LX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.7mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
BUK9K31-100LX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.7mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |