Продукція > NEXPERIA > BUK9K35-100LX
BUK9K35-100LX

BUK9K35-100LX NEXPERIA

BUK9K35-100L.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+73.21 грн
500+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K35-100LX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 42W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK9K35-100LX за ціною від 31.20 грн до 173.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK9K35-100LX BUK9K35-100LX Nexperia BUK9K35-100L.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.84 грн
10+77.17 грн
100+44.32 грн
500+35.14 грн
1000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-100LX BUK9K35-100LX Nexperia USA Inc. BUK9K35-100L.pdf Description: BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+78.08 грн
50+58.56 грн
100+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-100LX BUK9K35-100LX NEXPERIA BUK9K35-100L.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.16 грн
10+109.53 грн
100+73.21 грн
500+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-100LX BUK9K35-100L.pdf
BUK9K35-100LX
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.84 грн
10+77.17 грн
100+44.32 грн
500+35.14 грн
1000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-100LX BUK9K35-100L.pdf
BUK9K35-100LX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+128.14 грн
10+78.08 грн
50+58.56 грн
100+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-100LX BUK9K35-100L.pdf
BUK9K35-100LX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+173.16 грн
10+109.53 грн
100+73.21 грн
500+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.