Продукція > NEXPERIA > BUK9K35-100LX
BUK9K35-100LX

BUK9K35-100LX NEXPERIA


BUK9K35-100L.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.58 грн
500+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K35-100LX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 42W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK9K35-100LX за ціною від 31.36 грн до 174.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9K35-100LX BUK9K35-100LX Виробник : Nexperia BUK9K35-100L.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.47 грн
10+77.56 грн
100+44.54 грн
500+35.32 грн
1000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-100LX BUK9K35-100LX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9K35-100L.pdf Description: BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.79 грн
10+78.47 грн
50+58.85 грн
100+49.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-100LX BUK9K35-100LX Виробник : NEXPERIA BUK9K35-100L.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.04 грн
10+110.09 грн
100+73.58 грн
500+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-100LX BUK9K35-100LX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9K35-100L.pdf Description: BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.