Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9K35-60E,115
BUK9K35-60E,115

BUK9K35-60E,115 Nexperia USA Inc.

BUK9K35-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K35-60E,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 38W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 38W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK9K35-60E,115 за ціною від 27.69 грн до 94.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9K35-60E,115 BUK9K35-60E,115 Nexperia 1728689310662065buk9k35-60e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 BUK9K35-60E,115 Nexperia 1728689310662065buk9k35-60e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 BUK9K35-60E,115 Nexperia 1728689310662065buk9k35-60e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
852+41.64 грн
1000+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 BUK9K35-60E,115 Nexperia 1728689310662065buk9k35-60e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+50.95 грн
282+50.44 грн
314+45.15 грн
318+43.10 грн
500+36.68 грн
1000+34.32 грн
3000+33.43 грн
6000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 BUK9K35-60E,115 Nexperia 1728689310662065buk9k35-60e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.51 грн
15+50.95 грн
25+50.44 грн
100+43.54 грн
250+39.91 грн
500+35.21 грн
1000+34.32 грн
3000+33.43 грн
6000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 BUK9K35-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K35-60E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+57.29 грн
50+42.63 грн
100+35.53 грн
500+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 BUK9K35-60E,115 Nexperia BUK9K35-60E.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 BUK9K35-60E,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 BUK9K35-60E,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 1728689310662065buk9k35-60e.pdf
BUK9K35-60E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 1728689310662065buk9k35-60e.pdf
BUK9K35-60E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 1728689310662065buk9k35-60e.pdf
BUK9K35-60E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
852+41.64 грн
1000+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 1728689310662065buk9k35-60e.pdf
BUK9K35-60E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
279+50.95 грн
282+50.44 грн
314+45.15 грн
318+43.10 грн
500+36.68 грн
1000+34.32 грн
3000+33.43 грн
6000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 1728689310662065buk9k35-60e.pdf
BUK9K35-60E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+55.51 грн
15+50.95 грн
25+50.44 грн
100+43.54 грн
250+39.91 грн
500+35.21 грн
1000+34.32 грн
3000+33.43 грн
6000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 BUK9K35-60E.pdf
BUK9K35-60E,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.75 грн
10+57.29 грн
50+42.63 грн
100+35.53 грн
500+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 BUK9K35-60E.pdf
BUK9K35-60E,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 NEXP-S-A0003059401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9K35-60E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K35-60E,115 NEXP-S-A0003059401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9K35-60E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.