BUK9K35-60E,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 30.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K35-60E,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 38W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 38W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK9K35-60E,115 за ціною від 28.08 грн до 117.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9K35-60E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BUK9K35-60E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BUK9K35-60E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 315000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BUK9K35-60E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BUK9K35-60E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm Verlustleistung, p-Kanal: 38W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 38W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BUK9K35-60E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BUK9K35-60E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BUK9K35-60E,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1205 N CHAN 60V |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BUK9K35-60E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm Verlustleistung, p-Kanal: 38W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 38W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BUK9K35-60E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BUK9K35-60E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |