BUK9K35-60RAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 38W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K35-60RAX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 38W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 38W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK9K35-60RAX за ціною від 29.92 грн до 100.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9K35-60RAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9K35-60RAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9K35-60RAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9K35-60RAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9K35-60RAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9K35-60RAX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9K35-60RAX | Nexperia |
MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 22A |
на замовлення 17136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
BUK9K35-60RAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm Verlustleistung, p-Kanal: 38W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 38W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BUK9K35-60RAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm Verlustleistung, p-Kanal: 38W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 38W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK9K35-60RAX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 42.79 грн |
| BUK9K35-60RAX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 324+ | 43.86 грн |
| 325+ | 43.71 грн |
| 342+ | 41.49 грн |
| 346+ | 39.61 грн |
| 500+ | 36.53 грн |
| 1000+ | 34.92 грн |
| BUK9K35-60RAX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 46.43 грн |
| 18+ | 43.86 грн |
| 25+ | 43.71 грн |
| 100+ | 40.01 грн |
| 250+ | 36.68 грн |
| 500+ | 35.06 грн |
| 1000+ | 34.92 грн |
| BUK9K35-60RAX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 53.75 грн |
| BUK9K35-60RAX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 75.34 грн |
| BUK9K35-60RAX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.96 грн |
| 10+ | 61.55 грн |
| 50+ | 45.86 грн |
| 100+ | 38.29 грн |
| 500+ | 29.92 грн |
| BUK9K35-60RAX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 22A
MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 22A
на замовлення 17136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK9K35-60RAX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK9K35-60RAX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)