| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.19 грн |
| 1500+ | 28.79 грн |
| 24000+ | 25.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K35-60RAX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 38W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 38W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK9K35-60RAX за ціною від 35.30 грн до 101.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9K35-60RAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56DPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK9K35-60RAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK9K35-60RAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK9K35-60RAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK9K35-60RAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm Verlustleistung, p-Kanal: 38W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 38W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK9K35-60RAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm Verlustleistung, p-Kanal: 38W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 38W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK9K35-60RAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| BUK9K35-60RAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 16A; Idm: 90A; 38W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 79mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |