Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9K52-60E,115
BUK9K52-60E,115

BUK9K52-60E,115 Nexperia USA Inc.

BUK9K52-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 32W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+18.96 грн
4500+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K52-60E,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9K52-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 32W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BUK9K52-60E,115 за ціною від 20.05 грн до 70.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9K52-60E,115 BUK9K52-60E,115 Nexperia 1179284787643568buk9k52-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 BUK9K52-60E,115 Nexperia 1179284787643568buk9k52-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 BUK9K52-60E,115 Nexperia 1179284787643568buk9k52-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 BUK9K52-60E,115 Nexperia 1179284787643568buk9k52-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
675+52.58 грн
1000+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 BUK9K52-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K52-60E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.55 грн
50+31.38 грн
100+26.04 грн
500+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 BUK9K52-60E,115 NEXPERIA PHGLS28271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9K52-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 BUK9K52-60E,115 NEXPERIA PHGLS28271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9K52-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 1179284787643568buk9k52-60e.pdf
BUK9K52-60E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 1179284787643568buk9k52-60e.pdf
BUK9K52-60E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 1179284787643568buk9k52-60e.pdf
BUK9K52-60E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 1179284787643568buk9k52-60e.pdf
BUK9K52-60E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
675+52.58 грн
1000+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 BUK9K52-60E.pdf
BUK9K52-60E,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.67 грн
10+42.55 грн
50+31.38 грн
100+26.04 грн
500+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 PHGLS28271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9K52-60E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K52-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 PHGLS28271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9K52-60E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K52-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.