BUK9K52-60RAX Nexperia
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 424+ | 28.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K52-60RAX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 32W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK9K52-60RAX за ціною від 22.98 грн до 66.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9K52-60RAX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK9K52-60RAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK9K52-60RAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK9K52-60RAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUK9K52-60RAX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BUK9K52-60RA/SOT1205/LFPAK56D |
на замовлення 11657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK9K52-60RAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUK9K52-60RAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| BUK9K52-60RAX | Виробник : NEXPERIA |
BUK9K52-60RAX Multi channel transistors |
товару немає в наявності |