Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9K52-60RAX
BUK9K52-60RAX

BUK9K52-60RAX Nexperia USA Inc.

BUK9K52-60RA.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K52-60RAX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 32W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BUK9K52-60RAX за ціною від 24.86 грн до 86.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9K52-60RAX BUK9K52-60RAX Nexperia buk9k52-60ra.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
424+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAX BUK9K52-60RAX Nexperia buk9k52-60ra.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.88 грн
20+38.05 грн
25+37.94 грн
50+36.21 грн
100+32.26 грн
250+30.66 грн
500+29.72 грн
1000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAX BUK9K52-60RAX Nexperia USA Inc. BUK9K52-60RA.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+51.90 грн
50+38.47 грн
100+32.03 грн
500+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAX BUK9K52-60RAX Nexperia BUK9K52-60RA.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAX BUK9K52-60RAX NEXPERIA BUK9K52-60RA.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAX BUK9K52-60RAX NEXPERIA BUK9K52-60RA.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAX buk9k52-60ra.pdf
BUK9K52-60RAX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
424+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAX buk9k52-60ra.pdf
BUK9K52-60RAX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+39.88 грн
20+38.05 грн
25+37.94 грн
50+36.21 грн
100+32.26 грн
250+30.66 грн
500+29.72 грн
1000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAX BUK9K52-60RA.pdf
BUK9K52-60RAX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.21 грн
10+51.90 грн
50+38.47 грн
100+32.03 грн
500+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAX BUK9K52-60RA.pdf
BUK9K52-60RAX
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAX BUK9K52-60RA.pdf
BUK9K52-60RAX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60RAX BUK9K52-60RA.pdf
BUK9K52-60RAX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.