BUK9K89-100E,115 Nexperia
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 29.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K89-100E,115 Nexperia
Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 38W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56D, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9K89-100E,115 за ціною від 30.24 грн до 164.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9K89-100E,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 12.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9K89-100E,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BUK9K89-100E/SOT1205/LFPAK56D |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9K89-100E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 12.5A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9K89-100E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 12.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BUK9K89-100E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9K89-100E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK9K89-100E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.9A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 245mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |