Продукція > NEXPERIA > BUK9K89-100E,115
BUK9K89-100E,115

BUK9K89-100E,115 Nexperia


3012549411890276buk9k89-100e.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 12.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9K89-100E,115 Nexperia

Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 38W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56D, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK9K89-100E,115 за ціною від 23.91 грн до 117.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E,115 Виробник : Nexperia 3012549411890276buk9k89-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E,115 Виробник : Nexperia BUK9K89-100E.pdf MOSFETs BUK9K89-100E/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.42 грн
10+69.63 грн
100+43.04 грн
500+34.72 грн
1000+34.14 грн
1500+27.81 грн
3000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9K89-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.78 грн
10+74.95 грн
100+50.14 грн
500+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E,115 Виробник : NEXPERIA 3012549411890276buk9k89-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12.5A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E,115 Виробник : Nexperia 3012549411890276buk9k89-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K89-100E,115 Виробник : NEXPERIA BUK9K89-100E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9K89-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K89-100E,115 Виробник : NEXPERIA BUK9K89-100E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.