BUK9K8R7-40EX Nexperia
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 314+ | 39.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9K8R7-40EX Nexperia
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 53W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56D, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції BUK9K8R7-40EX за ціною від 36.23 грн до 160.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9K8R7-40EX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9K8R7-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9K8R7-40EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 30A |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9K8R7-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9K8R7-40EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9K8R7-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK9K8R7-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK9K8R7-40EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BUK9K8R7-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Pulsed drain current: 211A Power dissipation: 53W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 18.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |