Продукція > NEXPERIA > BUK9M10-30EX
BUK9M10-30EX

BUK9M10-30EX Nexperia


BUK9M10-30E.pdf Виробник: Nexperia
MOSFETs N-channel 40 V, 11 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 2660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.70 грн
10+46.50 грн
100+28.26 грн
3000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M10-30EX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1249 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK9M10-30EX за ціною від 26.22 грн до 89.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9M10-30EX BUK9M10-30EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9M10-30E.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1249 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.71 грн
10+53.67 грн
100+35.24 грн
500+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M10-30EX BUK9M10-30EX Виробник : NEXPERIA 268875571709111buk9m10-30e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 54A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M10-30EX BUK9M10-30EX Виробник : Nexperia 268875571709111buk9m10-30e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M10-30EX BUK9M10-30EX Виробник : Nexperia 268875571709111buk9m10-30e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M10-30EX BUK9M10-30EX Виробник : Nexperia 268875571709111buk9m10-30e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M10-30EX Виробник : NEXPERIA BUK9M10-30E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 216A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 216A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M10-30EX BUK9M10-30EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9M10-30E.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1249 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M10-30EX Виробник : NEXPERIA BUK9M10-30E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 216A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 216A
Power dissipation: 55W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.