BUK9M11-40HX Nexperia
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 736+ | 17.78 грн |
| 748+ | 17.51 грн |
| 760+ | 17.23 грн |
| 773+ | 16.34 грн |
| 785+ | 14.88 грн |
| 1000+ | 14.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M11-40HX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M11-40HX за ціною від 17.56 грн до 85.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK9M11-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK9M11-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 93700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK9M11-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M11-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 9000 µohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK9M11-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M11-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 9000 µohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK9M11-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| BUK9M11-40HX | Виробник : NEXPERIA |
BUK9M11-40HX SMD N channel transistors |
на замовлення 1232 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
| BUK9M11-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
BUK9M11-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
BUK9M11-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
BUK9M11-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK33Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
BUK9M11-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 35A |
товару немає в наявності |



