Продукція > NEXPERIA > BUK9M11-40HX
BUK9M11-40HX

BUK9M11-40HX Nexperia

buk9m1140h.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
736+16.83 грн
748+16.56 грн
760+16.30 грн
773+15.46 грн
785+14.08 грн
1000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 736
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M11-40HX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK9M11-40HX за ціною від 16.61 грн до 96.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9M11-40HX BUK9M11-40HX Виробник : Nexperia buk9m1140h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+16.90 грн
1000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M11-40HX BUK9M11-40HX Виробник : Nexperia buk9m1140h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 93700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1415+21.87 грн
10000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 1415
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M11-40HX BUK9M11-40HX Виробник : NEXPERIA 2787529.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M11-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 9000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.90 грн
500+29.96 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M11-40HX BUK9M11-40HX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9M11-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.03 грн
10+48.36 грн
100+31.59 грн
500+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M11-40HX BUK9M11-40HX Виробник : NEXPERIA 2787529.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M11-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 9000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.54 грн
14+60.97 грн
100+40.90 грн
500+29.96 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M11-40HX Виробник : NEXPERIA buk9m11-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M11-40HX BUK9M11-40HX Виробник : Nexperia buk9m1140h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M11-40HX BUK9M11-40HX Виробник : Nexperia buk9m1140h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M11-40HX BUK9M11-40HX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9M11-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M11-40HX BUK9M11-40HX Виробник : Nexperia BUK9M11-40H.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M11-40HX Виробник : NEXPERIA BUK9M11-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 193A; 50W
Case: LFPAK33; SOT1210
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 27.2mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 193A
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.