BUK9M12-60EX Nexperia USA Inc.


BUK9M12-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+26.79 грн
3000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M12-60EX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK33, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BUK9M12-60EX за ціною від 21.95 грн до 95.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK9M12-60EX BUK9M12-60EX Nexperia BUK9M12-60E.pdf MOSFETs N-channel 100 V, 120 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.94 грн
10+55.41 грн
100+32.86 грн
500+26.30 грн
1000+23.95 грн
1500+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX BUK9M12-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M12-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+57.89 грн
100+38.29 грн
500+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX BUK9M12-60E.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs N-channel 100 V, 120 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+73.94 грн
10+55.41 грн
100+32.86 грн
500+26.30 грн
1000+23.95 грн
1500+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX BUK9M12-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.53 грн
10+57.89 грн
100+38.29 грн
500+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.