Продукція > NEXPERIA > BUK9M12-60EX
BUK9M12-60EX

BUK9M12-60EX NEXPERIA


NEXP-S-A0003105837-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1506 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.07 грн
200+35.37 грн
500+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M12-60EX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BUK9M12-60EX за ціною від 25.28 грн до 84.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9M12-60EX BUK9M12-60EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9M12-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.00 грн
10+56.75 грн
100+37.52 грн
500+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX BUK9M12-60EX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105837-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M12-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.009 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.89 грн
15+58.92 грн
50+42.07 грн
200+35.37 грн
500+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX BUK9M12-60EX Виробник : Nexperia BUK9M12-60E.pdf MOSFETs N-channel 100 V, 120 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 5657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.52 грн
10+63.96 грн
100+37.96 грн
500+30.34 грн
1000+25.35 грн
1500+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX BUK9M12-60EX Виробник : NEXPERIA 268729365319992buk9m12-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX BUK9M12-60EX Виробник : Nexperia 268729365319992buk9m12-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX BUK9M12-60EX Виробник : Nexperia 268729365319992buk9m12-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX BUK9M12-60EX Виробник : Nexperia 268729365319992buk9m12-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX Виробник : NEXPERIA BUK9M12-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 38A; Idm: 216A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 216A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX BUK9M12-60EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9M12-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX Виробник : NEXPERIA BUK9M12-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 38A; Idm: 216A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 216A
Power dissipation: 79W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.