BUK9M120-100EX Nexperia
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 18.42 грн |
3000+ | 16.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M120-100EX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M120-100EX за ціною від 13.99 грн до 46.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUK9M120-100EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BUK9M120-100EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm |
на замовлення 27848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BUK9M120-100EX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BUK9M120-100EX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BUK9M120-100EX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BUK9M120-100EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm |
на замовлення 27848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BUK9M120-100EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BUK9M120-100EX | Виробник : Nexperia | MOSFET BUK9M120-100E/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 33834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BUK9M120-100EX | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BUK9M120-100EX | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BUK9M120-100EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.1A; Idm: 46A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.1A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 44W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BUK9M120-100EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BUK9M120-100EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.1A; Idm: 46A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.1A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 44W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |