Продукція > NEXPERIA > BUK9M120-100EX

BUK9M120-100EX NEXPERIA

Name: BUK9M120-100EX
Brand: NEXPERIA
SKU: 8353533-6
Price: 38055.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1500+	25.37 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BUK9M120-100EX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK9M120-100EX за ціною від 13.05 грн до 99.87 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BUK9M120-100EX

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 17842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.69 грн
200+	43.90 грн
500+	31.34 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9M120-100EX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.91 грн
10+	37.69 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9M120-100EX

Nexperia

MOSFETs SOT1210 100V 11.5A

на замовлення 5782 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.99 грн
10+	42.87 грн
100+	24.30 грн
500+	18.71 грн
1000+	15.95 грн
1500+	14.57 грн
3000+	13.05 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9M120-100EX

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 17842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.87 грн
13+	62.02 грн
50+	54.69 грн
200+	43.90 грн
500+	31.34 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9M120-100EX

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 17842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	54.69 грн
200+	43.90 грн
500+	31.34 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9M120-100EX

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	62.91 грн
10+	37.69 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9M120-100EX

Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1210 100V 11.5A

на замовлення 5782 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	69.99 грн
10+	42.87 грн
100+	24.30 грн
500+	18.71 грн
1000+	15.95 грн
1500+	14.57 грн
3000+	13.05 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9M120-100EX

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 17842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	99.87 грн
13+	62.02 грн
50+	54.69 грн
200+	43.90 грн
500+	31.34 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.