Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9M13-80LX
BUK9M13-80LX

BUK9M13-80LX Nexperia USA Inc.

BUK9M13-80L.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BUK9M13-80L/SOT1210/MLFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 120µA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3341 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M13-80LX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9M13-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0125 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V, Verlustleistung: 91W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm.

Інші пропозиції BUK9M13-80LX за ціною від 44.67 грн до 157.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9M13-80LX BUK9M13-80LX Nexperia USA Inc. BUK9M13-80L.pdf Description: BUK9M13-80L/SOT1210/MLFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 120µA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3341 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+89.06 грн
50+67.10 грн
100+56.33 грн
500+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M13-80LX BUK9M13-80LX Nexperia buk9m13-80l.pdf N-channel logic level MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.80 грн
500+142.38 грн
1000+130.52 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M13-80LX BUK9M13-80LX NEXPERIA 4410262.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M13-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0125 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M13-80LX BUK9M13-80LX NEXPERIA 4410262.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M13-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0125 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M13-80LX BUK9M13-80L.pdf
BUK9M13-80LX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BUK9M13-80L/SOT1210/MLFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 120µA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3341 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.01 грн
10+89.06 грн
50+67.10 грн
100+56.33 грн
500+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M13-80LX buk9m13-80l.pdf
BUK9M13-80LX
Виробник: Nexperia
N-channel logic level MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
226+157.80 грн
500+142.38 грн
1000+130.52 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M13-80LX 4410262.pdf
BUK9M13-80LX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M13-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0125 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M13-80LX 4410262.pdf
BUK9M13-80LX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M13-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0125 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.