BUK9M156-100EX

BUK9M156-100EX Nexperia USA Inc.


BUK9M156-100E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M156-100EX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9M156-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.3 A, 0.12 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BUK9M156-100EX за ціною від 12.95 грн до 61.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9M156-100EX BUK9M156-100EX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M156-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.3 A, 0.12 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.16 грн
200+21.69 грн
500+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EX BUK9M156-100EX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M156-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.3 A, 0.12 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.18 грн
22+37.88 грн
50+26.16 грн
200+21.69 грн
500+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EX BUK9M156-100EX Виробник : Nexperia BUK9M156-100E.pdf MOSFETs N-channel 100 V, 16 mOhm logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 20301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.18 грн
10+39.26 грн
100+25.82 грн
250+24.87 грн
500+20.08 грн
1000+13.98 грн
1500+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EX BUK9M156-100EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9M156-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.28 грн
10+35.48 грн
100+25.29 грн
500+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EX BUK9M156-100EX Виробник : NEXPERIA 268949935190047buk9m156-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EX BUK9M156-100EX Виробник : Nexperia 268949935190047buk9m156-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EX BUK9M156-100EX Виробник : Nexperia 268949935190047buk9m156-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EX Виробник : NEXPERIA BUK9M156-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 36W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EX Виробник : NEXPERIA BUK9M156-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 36W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.