BUK9M20-60ELX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M20-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0104 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.67V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79.4W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.06 грн |
| 500+ | 51.00 грн |
| 1000+ | 46.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M20-60ELX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M20-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0104 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 79.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.67V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79.4W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0104ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9M20-60ELX за ціною від 34.79 грн до 166.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9M20-60ELX | Nexperia |
MOSFETs N-channel 80 V, 23 mohm logic level MOSFET in LFPAK33 |
на замовлення 1879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK9M20-60ELX | Nexperia USA Inc. |
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 13 MOHM L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2941 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK9M20-60ELX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M20-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0104 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.67V euEccn: NLR Verlustleistung: 79.4W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BUK9M20-60ELX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs N-channel 80 V, 23 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
MOSFETs N-channel 80 V, 23 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.73 грн |
| 10+ | 70.97 грн |
| 100+ | 48.05 грн |
| 250+ | 47.98 грн |
| 500+ | 43.97 грн |
| 3000+ | 34.79 грн |
| BUK9M20-60ELX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 13 MOHM L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2941 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 13 MOHM L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2941 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.24 грн |
| 10+ | 78.60 грн |
| 100+ | 54.66 грн |
| 500+ | 42.57 грн |
| BUK9M20-60ELX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M20-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0104 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.67V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79.4W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9M20-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0104 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.67V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79.4W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 166.72 грн |
| 10+ | 103.09 грн |
| 100+ | 67.73 грн |
| 500+ | 59.16 грн |
| 1000+ | 53.50 грн |