
BUK9M20-60ELX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9M20-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0104 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.67V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79.4W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 73.86 грн |
500+ | 50.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M20-60ELX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M20-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0104 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 79.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.67V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79.4W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0104ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BUK9M20-60ELX за ціною від 34.50 грн до 141.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK9M20-60ELX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9M20-60ELX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.67V euEccn: NLR Verlustleistung: 79.4W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9M20-60ELX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2941 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BUK9M20-60ELX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
BUK9M20-60ELX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2941 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |