BUK9M24-60EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 19.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M24-60EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9M24-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.017 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK9M24-60EX за ціною від 19.96 грн до 68.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9M24-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9M24-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9M24-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M24-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.017 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9M24-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9M24-60EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 80 V, 24 mOhm logic level MOSFET in LFPAK33 |
на замовлення 3049 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9M24-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M24-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.017 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9M24-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK9M24-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK9M24-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK9M24-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BUK9M24-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22.4A; Idm: 127A; 55W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22.4A Pulsed drain current: 127A Power dissipation: 55W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 54mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| BUK9M24-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22.4A; Idm: 127A; 55W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22.4A Pulsed drain current: 127A Power dissipation: 55W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 54mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |