BUK9M24-60EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M24-60EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9M24-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.017 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9M24-60EX за ціною від 22.97 грн до 80.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK9M24-60EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK9M24-60EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK9M24-60EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BUK9M24-60EX | Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 32A |
на замовлення 3023 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BUK9M24-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M24-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.017 ohm, SOT-1210, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BUK9M24-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M24-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.017 ohm, SOT-1210, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK9M24-60EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 24.56 грн |
| BUK9M24-60EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 25.02 грн |
| BUK9M24-60EX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 80.09 грн |
| 10+ | 48.33 грн |
| 50+ | 35.73 грн |
| 100+ | 29.71 грн |
| 500+ | 22.97 грн |
| BUK9M24-60EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 32A
MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 32A
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK9M24-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M24-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.017 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9M24-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.017 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK9M24-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M24-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.017 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9M24-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.017 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





