Продукція > NEXPERIA > BUK9M24-80LX
BUK9M24-80LX

BUK9M24-80LX NEXPERIA

BUK9M24-80L.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+64.68 грн
500+47.35 грн
1000+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M24-80LX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 67W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK9M24-80LX за ціною від 21.72 грн до 154.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK9M24-80LX BUK9M24-80LX Nexperia BUK9M24-80L.pdf MOSFETs N-channel 80 V, 24 mOhm logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.65 грн
10+64.00 грн
100+36.94 грн
500+29.19 грн
1000+26.32 грн
1500+24.09 грн
3000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-80LX BUK9M24-80LX Nexperia USA Inc. BUK9M24-80L.pdf Description: BUK9M24-80L/SOT1210/MLFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 67W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.26 грн
10+70.43 грн
50+52.59 грн
100+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-80LX BUK9M24-80LX NEXPERIA BUK9M24-80L.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.78 грн
10+97.76 грн
100+64.68 грн
500+47.35 грн
1000+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-80LX BUK9M24-80L.pdf
BUK9M24-80LX
Виробник: Nexperia
MOSFETs N-channel 80 V, 24 mOhm logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+102.65 грн
10+64.00 грн
100+36.94 грн
500+29.19 грн
1000+26.32 грн
1500+24.09 грн
3000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-80LX BUK9M24-80L.pdf
BUK9M24-80LX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BUK9M24-80L/SOT1210/MLFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 67W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+116.26 грн
10+70.43 грн
50+52.59 грн
100+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-80LX BUK9M24-80L.pdf
BUK9M24-80LX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+154.78 грн
10+97.76 грн
100+64.68 грн
500+47.35 грн
1000+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.