BUK9M28-80EX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 68.78 грн |
| 200+ | 50.71 грн |
| 500+ | 36.17 грн |
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Технічний опис BUK9M28-80EX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9M28-80EX за ціною від 17.05 грн до 133.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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BUK9M28-80EX | Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N CHAN 80V |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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BUK9M28-80EX | NEXPERIA |
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на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BUK9M28-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N CHAN 80V
MOSFETs SOT1210 N CHAN 80V
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.59 грн |
| 10+ | 49.14 грн |
| 100+ | 30.44 грн |
| 500+ | 24.92 грн |
| 1000+ | 20.02 грн |
| 1500+ | 18.29 грн |
| 3000+ | 17.05 грн |
| BUK9M28-80EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 133.70 грн |
| 10+ | 82.96 грн |
| 50+ | 68.78 грн |
| 200+ | 50.71 грн |
| 500+ | 36.17 грн |



