Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9M28-80EX
BUK9M28-80EX

BUK9M28-80EX Nexperia USA Inc.

BUK9M28-80E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M28-80EX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 75W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.

Інші пропозиції BUK9M28-80EX за ціною від 25.90 грн до 89.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX NEXPERIA BUK9M28-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23.1A; Idm: 131A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23.1A
Pulsed drain current: 131A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.64 грн
10+50.69 грн
25+42.55 грн
100+38.31 грн
250+35.48 грн
500+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Nexperia USA Inc. BUK9M28-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.31 грн
10+53.77 грн
50+39.95 грн
100+33.30 грн
500+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Nexperia BUK9M28-80E.pdf MOSFETs BUK9M28-80E/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 7133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX NEXPERIA NEXP-S-A0003105744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX NEXPERIA NEXP-S-A0003105744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80E.pdf
BUK9M28-80EX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23.1A; Idm: 131A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23.1A
Pulsed drain current: 131A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.64 грн
10+50.69 грн
25+42.55 грн
100+38.31 грн
250+35.48 грн
500+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80E.pdf
BUK9M28-80EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.31 грн
10+53.77 грн
50+39.95 грн
100+33.30 грн
500+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80E.pdf
BUK9M28-80EX
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9M28-80E/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 7133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX NEXP-S-A0003105744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9M28-80EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX NEXP-S-A0003105744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9M28-80EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.