Продукція > NEXPERIA > BUK9M28-80EX
BUK9M28-80EX

BUK9M28-80EX Nexperia

2037805198086923buk9m28-80e.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M28-80EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BUK9M28-80EX за ціною від 22.30 грн до 82.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9M28-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Виробник : NEXPERIA 2037805198086923buk9m28-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 289500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Виробник : Nexperia 2037805198086923buk9m28-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.59 грн
200+35.66 грн
500+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Виробник : NEXPERIA BUK9M28-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23.1A; Idm: 131A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23.1A
Pulsed drain current: 131A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.94 грн
10+47.24 грн
30+30.77 грн
82+29.06 грн
500+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9M28-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.39 грн
10+51.52 грн
100+35.19 грн
500+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Виробник : Nexperia BUK9M28-80E.pdf MOSFETs Single N-channel 60 V, 21 mOhm logic level MOSFET in LFPAK33 using Enhanced SOAtechnology
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.71 грн
10+57.39 грн
25+47.81 грн
100+34.01 грн
500+28.42 грн
1000+22.38 грн
1500+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Виробник : NEXPERIA BUK9M28-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23.1A; Idm: 131A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23.1A
Pulsed drain current: 131A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.33 грн
10+58.87 грн
30+36.92 грн
82+34.87 грн
500+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.17 грн
16+55.23 грн
50+38.32 грн
200+32.09 грн
500+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Виробник : Nexperia 2037805198086923buk9m28-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Виробник : Nexperia 2037805198086923buk9m28-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.