BUK9M35-80EX

BUK9M35-80EX Nexperia USA Inc.


BUK9M35-80E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+24.7 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M35-80EX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK9M35-80EX за ціною від 17.2 грн до 58.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK9M35-80EX BUK9M35-80EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9M35-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.48 грн
10+ 48.3 грн
100+ 33.44 грн
500+ 26.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9M35-80EX BUK9M35-80EX Виробник : Nexperia BUK9M35_80E-1539910.pdf MOSFET BUK9M35-80E/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 10639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.36 грн
10+ 50.8 грн
100+ 30.16 грн
500+ 25.18 грн
1000+ 20.92 грн
1500+ 17.8 грн
3000+ 17.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK9M35-80EX BUK9M35-80EX Виробник : NEXPERIA 269162938593046buk9m35-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 26A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK9M35-80EX BUK9M35-80EX Виробник : Nexperia 269162938593046buk9m35-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 26A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK9M35-80EX BUK9M35-80EX Виробник : Nexperia 269162938593046buk9m35-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 26A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товар відсутній
BUK9M35-80EX Виробник : NEXPERIA BUK9M35-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 19A; Idm: 106A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 106A
Power dissipation: 62W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK9M35-80EX Виробник : NEXPERIA BUK9M35-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 19A; Idm: 106A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 106A
Power dissipation: 62W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній