BUK9M35-80EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 22.32 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M35-80EX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M35-80EX за ціною від 23.48 грн до 81.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9M35-80EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BUK9M35-80EX | Nexperia |
MOSFETs BUK9M35-80E/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 3283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUK9M35-80EX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 81.55 грн |
| 10+ | 49.14 грн |
| 50+ | 36.41 грн |
| 100+ | 30.29 грн |
| 500+ | 23.48 грн |
| BUK9M35-80EX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9M35-80E/SOT1210/mLFPAK
MOSFETs BUK9M35-80E/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)